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C1825C225K5RAC電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
C1825C225K5RAC |
| 參數(shù)屬性 | C1825C225K5RAC 封裝/外殼為1825（4564 公制）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為電容器的陶瓷電容器；C1825C225K5RAC應(yīng)用范圍：旁通，去耦；產(chǎn)品描述：CAP CER 2.2UF 50V X7R 1825 |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
| 封裝外殼 | 1825（4564 公制） |
| 文件大小 |
474.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-19 17:57:00 |
C1825C225K5RAC規(guī)格書詳情
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
This 63 watt asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed
for cellular base station applications requiring very wide instantaneous
bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.
? Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts,
IDQA = 1100 mA, VGSB = 1.45 Vdc, Pout = 63 Watts Avg., Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Features
? Advanced High Performance In--Package Doherty
? Designed for Wide Instantaneous Bandwidth Applications
? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C
Operation
? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
? In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13--inch Reel.
For R5 Tape and Reel option, see p. 15.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
C1825C225K5RAC7800
- 制造商：
KEMET
- 類別：
電容器 > 陶瓷電容器
- 系列：
SMD Comm X7R
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 容差：
±10%
- 電壓 - 額定：
50V
- 溫度系數(shù)：
X7R
- 工作溫度：
-55°C ~ 125°C
- 應(yīng)用：
旁通，去耦
- 安裝類型：
表面貼裝，MLCC
- 封裝/外殼：
1825（4564 公制）
- 大小 / 尺寸：
0.177" 長 x 0.252" 寬（4.50mm x 6.40mm）
- 厚度（最大值）：
0.065"（1.65mm）
- 描述：
CAP CER 2.2UF 50V X7R 1825
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEMET |
24+ |
N/A |
5650 |
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詢價(jià) | ||
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SMD |
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23+ |
SMD |
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KEMET/基美 |
24+ |
SMD |
68900 |
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KEMET/基美 |
24+ |
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23+ |
1825 |
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電容器 |
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