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C4532X7R1H335K電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料

C4532X7R1H335K
廠商型號(hào)

C4532X7R1H335K

參數(shù)屬性

C4532X7R1H335K 封裝/外殼為1812(4532 公制);包裝為散裝;類別為電容器的陶瓷電容器;C4532X7R1H335K應(yīng)用范圍:通用;產(chǎn)品描述:CAP CER 3.3UF 50V X7R 1812

功能描述

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

封裝外殼

1812(4532 公制)

文件大小

491.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

23 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-14 20:20:00

C4532X7R1H335K規(guī)格書詳情

The A2I09VD030N wideband integrated circuit is designed with on?chip

matching that makes it usable from 575 to 1300 MHz. This multi?stage

structure is rated for 48 to 55 V operation and covers all typical cellular base

station modulation formats.

Features

? On?chip matching (50 ohm input, DC blocked)

? Integrated quiescent current temperature compensation with

enable/disable function (1)

? Designed for digital predistortion error correction systems

? Optimized for Doherty applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    C4532X7R1H335K200KA

  • 制造商:

    TDK Corporation

  • 類別:

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列:

    C

  • 包裝:

    散裝

  • 容差:

    ±10%

  • 電壓 - 額定:

    50V

  • 溫度系數(shù):

    X7R

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    低 ESL 型

  • 應(yīng)用:

    通用

  • 安裝類型:

    表面貼裝,MLCC

  • 封裝/外殼:

    1812(4532 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm)

  • 厚度(最大值):

    0.087"(2.20mm)

  • 描述:

    CAP CER 3.3UF 50V X7R 1812

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TDK
17+
SMD
100000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
TDK
23+
SMD
55000
1812 X7R 50V 3.3UF 10%
詢價(jià)
TDK
01+
SMD
120
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
TDK/東電化
24+
90000
原裝正品假一賠十
詢價(jià)
TDK
23+
SMD
3200
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TDK/東電化
19+
SMD
18000
原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
TDK
2339+
N/A
4652
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
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TDK/東電化
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NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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1812-335K/50V
23+
NA
15659
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TDK
SMD
68900
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