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C4532X7R1H475K電容器的陶瓷電容器規(guī)格書PDF中文資料

C4532X7R1H475K
廠商型號(hào)

C4532X7R1H475K

參數(shù)屬性

C4532X7R1H475K 封裝/外殼為1812(4532 公制);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為電容器的陶瓷電容器;C4532X7R1H475K應(yīng)用范圍:通用;產(chǎn)品描述:CAP CER 4.7UF 50V X7R 1812

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

封裝外殼

1812(4532 公制)

文件大小

491.07 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 23:00:00

C4532X7R1H475K規(guī)格書詳情

1 General description

This 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1930 to 1995 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 1930 to 1995 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

2 Features and benefits

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Advanced high performance in-package Doherty

? Improved linearized error vector magnitude with next generation signal

? Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions

? Plastic package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    C4532X7R1H475K200KB

  • 制造商:

    TDK Corporation

  • 類別:

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列:

    C

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差:

    ±10%

  • 電壓 - 額定:

    50V

  • 溫度系數(shù):

    X7R

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    低 ESL 型

  • 應(yīng)用:

    通用

  • 安裝類型:

    表面貼裝,MLCC

  • 封裝/外殼:

    1812(4532 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.177" 長 x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm)

  • 厚度(最大值):

    0.087"(2.20mm)

  • 描述:

    CAP CER 4.7UF 50V X7R 1812

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TDK(東電化)
23+
NA/
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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TDK
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1812 X7R 50V 4.7UF 10%
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