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C8A50Z4A中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

C8A50Z4A
廠商型號(hào)

C8A50Z4A

功能描述

RF Power LDMOS Transistor

文件大小

362.83 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

C8A50Z4A規(guī)格書詳情

N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

This 2 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 728 to 960 MHz.

Features

? Greater negative gate?source voltage range for improved Class C

operation

? On?chip matching (50 ohm input, DC blocked)

? Integrated quiescent current temperature compensation with

enable/disable function (1)

? Integrated ESD protection

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    C8A50Z4A

  • 功能描述:

    高頻/射頻電阻 DC-6.0GHz 8Watts -55C +125C

  • RoHS:

  • 制造商:

    Bourns

  • 電阻:

    50 Ohms

  • 容差:

    5 %

  • 功率額定值:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    3523(8958 metric)

  • 系列:

    CHF

  • 頻率:

    4 GHz

  • 工作溫度范圍:

    - 55 C to + 150 C

  • 端接類型:

    SMD/SMT

  • 尺寸:

    5.842 mm W x 8.89 mm L x 1 mm H

  • 封裝:

    Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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