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CA3060E	文件：143.1 Kbytes Page：12 Pages	110kHz,OperationalTransconductanceAmplifierArray Description TheCA3060monolithicintegratedcircuitconsistsofanarrayofthreeindependentOperationalTransconductanceAmplifiers(seeNote).Thistypeofamplifierhasthegenericcharacteristicsofanoperationalvoltageamplifierwiththeexceptionthattheforwardgaincharacteristic	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
CBD3060LCT	文件：71.56 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
CBRX3060CT	文件：313.74 Kbytes Page：4 Pages	TrenchSchottkyBarrierRectifier	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
CC3060C-AZ	文件：127.87 Kbytes Page：3 Pages	3-phase3-line500VACAvailable5-150AForoutputlineonly	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 雙信電機(jī)雙信電機(jī)株式會(huì)社	SOSHIN
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CED3060	文件：397.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED3060	文件：617.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3060	文件：105.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,14A,RDS(ON)=7.8m?@VGS=10V. RDS(ON)=11.5m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM3060	文件：1.04453 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEM3060	文件：543.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,14A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. RDS(ON)=11.5mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEXPRESS-BW-N3060	文件：312.24 Kbytes Page：4 Pages	COMExpressCompactSizeType6Module	AdlinkAdlink Technology Inc. 凌華科技凌華科技股份有限公司	Adlink
CHM3060JPT	文件：380.73 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT14Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperHighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CRO3060A	文件：48.22 Kbytes Page：2 Pages	LOWCOST-HIGHPERFORMANCEVOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CRO3060A	文件：85.05 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CS3060CT-A	文件：468.44 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC

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更多CA3060AE供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 10:50:00

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