CA3127分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
CA3127 |
| 參數(shù)屬性 | CA3127 封裝/外殼為16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC |
| 功能描述 | High Frequency NPN Transistor Array |
| 封裝外殼 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
455.69 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-21 16:57:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
CA3127三極管、CA3127晶體管、CA3127晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
0.05A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
0.05
- wtest：
0.5
CA3127規(guī)格書詳情
High Frequency NPN Transistor Array
The CA3127 consists of five general purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate. Each of the completely isolated transistors exhibits low 1/f noise and a value of fT in excess of 1GHz, making the CA3127 useful from DC to 500MHz. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors and a separate substrate connection has been provided for maximum application flexibility. The monolithic construction of the CA3127 provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
Features
? Gain Bandwidth Product (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . >1GHz
? Power Gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30dB (Typ) at 100MHz
? Noise Figure. . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB (Typ) at 100MHz
? Five Independent Transistors on a Common Substrate
? Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)
Applications
? VHF Amplifiers
? Multifunction Combinations - RF/Mixer/Oscillator
? Sense Amplifiers
? Synchronous Detectors
? VHF Mixers
? IF Converter
? IF Amplifiers
? Synthesizers
? Cascade Amplifiers
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
CA3127MZ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
5 NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
15V
- 頻率 - 躍遷：
1.15GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
3.5dB @ 100MHz
- 增益：
27dB ~ 30dB
- 功率 - 最大值：
85mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 5mA，6V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
20mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：
16-SOIC
- 描述：
RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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