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CAS530M12BM3

1200 V, 530 A, Silicon Carbide, Half-Bridge Module

TechnicalFeatures ?IndustryStandard62mmFootprint ?UltraLowLoss,High-FrequencyOperation ?ZeroReverseRecoveryfromDiodes ?ZeroTurn-offTailCurrentfromMOSFET ?Normally-off,Fail-safeDeviceOperation ?CopperBaseplateandAluminumNitrideInsulator Applications ?Inducti

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WOLFSPEED, INC.

CAS530M12BM3

Half Bridge SiC MOSFET Module

FEATURES ·175°Cmaximumjunctiontemperature ·ZeroReverseRecoveryfromDiodes ·62mmhalfbridgemodule APPLICATIONS ·MotorDrives ·VehicleFastChargers ·Renewableenergy ·UPS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

CAB530M12BM3

1200V,530AAll-SiliconCarbideHalf-BridgeModule

TechnicalFeatures ?IndustryStandard62mmFootprint ?UltraLowLoss,High-FrequencyOperation ?ZeroTurn-offTailCurrentfromMOSFET ?Normally-off,Fail-safeDeviceOperation ?CopperBaseplateandAluminumNitrideInsulator VDS1200V IDS530A SystemBenefits ?Lightweight,Comp

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更多CAS530M12BM3供應商 更新時間2025-2-2 10:28:00

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