CAV24C512WE-GT3_集成電路(IC) 存儲器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:CAV24C512WE-GT3品牌:onsemi

資料說明:IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIC

CAV24C512WE-GT3是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)的CAV24C512WE-GT3存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    cav24c512we-gt3

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    CAV24C512WE-GT3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲容量:

    512Kb(64K x 8)

  • 存儲器接口:

    I2C

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi
2年內(nèi)批號
8-SOIC
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詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
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ON Semiconductor
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