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TSA5888CYRMG	文件：166.86 Kbytes Page：5 Pages	LowVcesatPNPTransistorHighallowablepowerdissipation. BVCBO-50V BVCEO-40V IC-5.5A VCE(SAT)-175mV@IC/IB=-3.5A/-175mA Features ●AdoptionofFBETandMBITprocesses. ●Highcurrentcapacitance. ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●High-speedswitching. ●Ultrasmallpackagefacilitalesminiaturization	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC

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更多CD5888供應商更新時間2025-1-9 17:10:00

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