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CDBCT3100-HF	文件：380.86 Kbytes Page：4 Pages	SMD Schottky Barrier Diode Forwardcurrent:3.0A Reversevoltage:20to100V RoHSDevice HalogenFree Features -Leadlesschipform,noleaddamage. -Lowpowerloss,Highefficiency. -Highcurrentcapability,lowVF -PlasticpackagehasUL94V-0. MechanicalData -Case:PackedwithFRPsubstrateandepoxyunde	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBCT3100-HF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 3A 3220	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-G	文件：99.74 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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CED3100	文件：415.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3100	文件：633.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,12A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=19mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP3100	文件：418.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,47A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP3100	文件：677.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,47A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=21mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU3100	文件：415.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU3100	文件：1.27043 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=30V,ID=55A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEU3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CP3100SC	文件：1.36903 Mbytes Page：5 Pages	SMBPlastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司	HDSEMI
CR3100SA	文件：98.08 Kbytes Page：3 Pages	TheCRrangeofprotectorsarebasedontheproventechnologyoftheT10thyristorproduct	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
CR3100SA	文件：306.22 Kbytes Page：9 Pages	Thyristors(SiBODBreakoverDevices) [CRYDOM] GetTVSInsuranceFrom ThePeopleWhoKnow There’stoomuchridingonover-voltagesurgeprotectiontotakechances.That’swhymoreandmorepeopleareturningtoCrydom. Crydom’sSiBODSeriesEquals “CrowBar”Protection Toprotectsensitivetelecommunicationscircuitry,CrydomTh	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CR3100SB	文件：98.08 Kbytes Page：3 Pages	TheCRrangeofprotectorsarebasedontheproventechnologyoftheT10thyristorproduct	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
CDBCT3100-HF
制造商：
Comchip Technology
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
包裝：
卷帶（TR）
描述：
DIODE SCHOTTKY 3A 3220

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CDBD10100G	Comchip Technology	22+	D2PAK	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	CDBD10100G	Comchip Technology	21+	D2PAK	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	CDBD10100G	Comchip Technology	23+	D2PAK	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	CDBD10100-G	COMCHIP	1809+	TO-263	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	CDBD10100-G	COMCHIP/典琦科技	23+	D2PAK	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	CDBD10100-G	Comchip	22+	NA	75	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CDBD10100-G	Comchip/典琦科技	22+	D2PAK	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	CDBD10100-G		24+	N/A	64000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	CDBD10100-G	Comchip Technology	24+	TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

更多CDBCT3100-HF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-7 10:30:00

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