首頁>CE3512K2>詳情

CE3512K2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 CEL

CE3512K2參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：CE3512K2品牌：CEL

公司只售原裝,支持實單

CE3512K2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝4MicroX/4-Micro-X的CE3512K2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    CE3512K2

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    758.2 kb

  • 資料說明：

    12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    CE3512K2

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    pHEMT FET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.7dB

  • 額定電流（安培）：

    15mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.5dB

  • 功率 - 輸出：

    125mW

  • 封裝/外殼：

    4-Micro-X

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    4-Micro-X

  • 描述：

    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯福林電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張女士

  • 手機：

    13786598841

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82574045

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場6608

相近型號