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CEB10N4中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CEB10N4
廠商型號(hào)

CEB10N4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

875.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-10 17:03:00

CEB10N4規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CEB10N4

  • 功能描述:

    450V N Channel MOS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CET
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TO-263
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