CEB10N4中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
CEB10N4 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
875.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
企業(yè)簡稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-21 20:00:00 |
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CEB10N4規(guī)格書詳情
FEATURES
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole.
Lead free product is acquired.
產(chǎn)品屬性
- 型號:
CEB10N4
- 功能描述:
450V N Channel MOS
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CET |
25+ |
TO-263 |
50 |
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CET |
23+ |
TO-263 |
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SUMIDA |
24+ |
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CET |
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CET |
24+ |
TO263 |
250 |
詢價(jià) | |||
CET/華瑞 |
2022 |
SOT-263 |
80000 |
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CET |
23+ |
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