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CEB13N10中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEB13N10
廠商型號

CEB13N10

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

586.14 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-5 8:30:00

CEB13N10規(guī)格書詳情

FEATURES

100V, 12.8A, RDS(ON) = 180mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CEB13N10

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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