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CEB13N10中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEB13N10
廠商型號(hào)

CEB13N10

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

586.14 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-9 9:29:00

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CEB13N10規(guī)格書詳情

FEATURES

100V, 12.8A, RDS(ON) = 180mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CEB13N10

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
-
23+
NA
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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YMIN(永銘)
24+
SMD
5
C23-電容器
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CET/華瑞
2407+
con
10750
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24+
N/A
50000
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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CET-MOS
10
詢價(jià)
CET/華瑞
23+
TO-263
360000
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
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CET
24+
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TO-220
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