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CEB140N10中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEB140N10
廠商型號(hào)

CEB140N10

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

645.67 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-18 18:26:00

CEB140N10規(guī)格書詳情

FEATURES

100V, 137A, RDS(ON) = 7.5mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

Lead-free plating ; RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CET(華瑞)
23+
TO263
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
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一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index
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