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CEB50N06G中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEB50N06G
廠商型號

CEB50N06G
功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小

587.93 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS【華瑞】

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-28 17:47:00
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CEB50N06G規(guī)格書詳情

FEATURES

60V, 55A ,RDS(ON) = 20mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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