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CEB6106中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEB6106
廠商型號(hào)

CEB6106

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

291.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-13 22:36:00

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CEB6106規(guī)格書詳情

FEATURES

57V, 56A ,RDS(ON) = 19mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

Lead free product is acquired.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CET
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TO263
10026
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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