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CEB6601中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEB6601
廠商型號(hào)

CEB6601

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

434.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Chino-Excel Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET華瑞

中文名稱

華瑞股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-24 11:22:00

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CEB6601規(guī)格書詳情

FEATURES

■ -60V, -19A, RDS(ON) = 86mΩ @VGS = -10V.

RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V.

■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

■ High power and current handing capability.

■ Lead free product is acquired.

■ TO-220 & TO-263 package.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CEB6601

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CET
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