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CEC4112A中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEC4112A
廠商型號(hào)

CEC4112A

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

666.56 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-7 20:00:00

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CEC4112A規(guī)格書詳情

FEATURES

40V, 40A, RDS(ON) = 10.2 mW @VGS = 10V.

RDS(ON) = 16 mW @VGS = 4.5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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