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CED16N10SL中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED16N10SL
廠商型號

CED16N10SL

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

518.02 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-8 18:38:00

CED16N10SL規(guī)格書詳情

FEATURES

100V, 12A, RDS(ON) = 120mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 165mW @VGS = 3V.

RDS(ON) = 130mW @VGS = 5V.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CET
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