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CED4279中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED4279
廠商型號

CED4279

功能描述

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

文件大小

800.6 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 19:02:00

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CED4279規(guī)格書詳情

FEATURES

40V , 14A , RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-252-4L package.

RDS(ON) = 46mW @VGS = 4.5V.

Lead free product is acquired.

-40V , -9A , RDS(ON) = 72mW @VGS = 10V.

RDS(ON) = 110mW @VGS = 4.5V.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CED4279

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and P Channel)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CET
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