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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
CED9926	文件：59.68 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●20V,26A,RDS(ON)=30m?@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m@V?GS=2.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEG9926	文件：56.14 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM9926	文件：505.03 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Feature ●20V/,6A,RDS(ON)=30mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=40mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM9926	文件：986.07 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEM9926	文件：382.35 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●20V/6A,RDS(ON)=33mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=50mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage. Applications ●LI-IONProtectionCircuit	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CEM9926	文件：590.19 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,7A,RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=34mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM9926A	文件：140.59 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM9926A	文件：603.12 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,6A,RDS(ON)=27mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM9926A	文件：1.00679 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features VDS(V)=20V ID=7A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
CEM9926A	文件：350.97 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features VDS(V)=20V ID=7A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
CEU9926	文件：59.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●20V,26A,RDS(ON)=30m?@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m@V?GS=2.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM9926AJPT	文件：421.83 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT6Ampere FEATURE HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Smallflatpackage.(SO-8) APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM9926PAPT	文件：202.96 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT26Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJQ9926	文件：2.5967 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
CJQ9926	文件：1.20786 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CMT9926G	文件：235.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
DMG9926UDM	文件：140.79 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG9926USD	文件：166.97 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?Fast	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DTM9926	文件：1.47459 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFETHalogen-free	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTM9926	文件：302.05 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CED9926
功能描述：
20V N Channel MOS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	CED9926	CET	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	CEDF630	CET	2020+	TO-251	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEDF630	NEXPERIA/安世	23+	SOT137	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	CEDF630	C	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CEDF630	CET	23+	TO-251	7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市維爾達(dá)電子有限公司	CEDF634	fairchild	2023+	TO-251	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	CEDF634	CET	24+	TO-251	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

更多CED9926供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 10:08:00

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