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CEE02N6A中文資料華瑞數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

CEE02N6A
廠商型號

CEE02N6A

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

721.46 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網

原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-23 19:10:00

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CEE02N6A規(guī)格書詳情

FEATURES

600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-126 package.

Lead-free plating ; RoHS compliant.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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