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CEFF640	文件：464.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CEFF640	文件：1.14058 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEFF640	文件：627.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEPF640	文件：507.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEPF640	文件：1.94346 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEPF640	文件：627.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEUF640	文件：374.51 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEUF640	文件：505.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■200V,15A,RDS(ON)=0.15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-251&TO-252package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEUF640	文件：571.12 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,15A,RDS(ON)=0.15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CL640	文件：280.62 Kbytes Page：3 Pages	LEDarray	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
CMCP640	文件：451.07 Kbytes Page：1 Pages	LowCostFieldInstallableMILConnectors	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
COP640C	文件：368.22 Kbytes Page：26 Pages	8-BitCMOSROMBasedMicrocontrollerswith1kor2k	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
COP640C-XXX/N	文件：368.22 Kbytes Page：26 Pages	8-BitCMOSROMBasedMicrocontrollerswith1kor2k	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
COPCH640C	文件：368.22 Kbytes Page：26 Pages	8-BitCMOSROMBasedMicrocontrollerswith1kor2k	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
CPA640	文件：508.64 Kbytes Page：8 Pages	EcofitCPA640 Application EcofitCPA640isauniversalprocessassemblyforthepermanentinstallationof120 mmsensors(Pg13.5)inwaterandprocessapplications(utilities)inNPTprocess connections.Theassemblyisdesignedforinstallationinpipesin: ?wastewatertreatmentplants ?watertreatment	EHEndress+Hauser Group Services AG 恩德斯	EH
CPL640	文件：348.47 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CPS-H640	文件：136.34 Kbytes Page：2 Pages	400W6UCompactPCIHot-SwappableRedundantPowerSupply	AdlinkAdlink Technology Inc. 凌華科技凌華科技股份有限公司	Adlink
CTN640	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CVG640	文件：179.96 Kbytes Page：3 Pages	NPN/PNPCOMPLEMENTARYSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CEEF640	CET/華瑞	23+	TO-220	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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更多CEEF640供應(yīng)商更新時間2025-1-5 11:10:00

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