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CEF02N6G中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEF02N6G
廠商型號(hào)

CEF02N6G

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

599.54 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-10-27 16:42:00

CEF02N6G規(guī)格書詳情

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CEF02N6G

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CET
TO-220F
68900
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