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CEG2108E中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEG2108E
廠商型號

CEG2108E

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

494.5 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-28 19:01:00

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CEG2108E規(guī)格書詳情

FEATURES

20V, 8.5A, RDS(ON) = 14mW @VGS = 10V.

RDS(ON) = 15mW @VGS = 4.5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TSSOP-8 for Surface Mount Package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 20mW @VGS = 2.5V.

RDS(ON) = 28mW @VGS = 1.8V.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MURATA
09+
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2700
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