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CEU21A2中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEU21A2
廠商型號(hào)

CEU21A2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

1.27844 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-4-30 17:29:00

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CEU21A2規(guī)格書詳情

FEATURES

20V, 20A, RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RDS(ON) = 70mW @VGS = 2.5V.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CEU21A2

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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