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CEW280N10S

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V278A,RDS(ON)typ=1.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

IXUN280N10

TrenchPowerMOSFETVerylowRDS(on)

IXYS

IXYS Corporation

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更多CEW280N10S供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 15:01:00

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