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CEZ6R36L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V,110A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更多CEZ6R36L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 15:00:00

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