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CEZ6R86AL

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V,53A,RDS(ON)=7.4mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=10mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更多CEZ6R86AL供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 8:50:00