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CEZC6601A中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CEZC6601A
廠商型號(hào)

CEZC6601A

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

941.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-4 8:30:00

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CEZC6601A規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

-60V, -13.5A, RDS(ON) = 86mW @VGS = -10V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 125mW @VGS = -4.5V.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CET/華瑞
23+
P-PAK3X3
360000
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
詢價(jià)
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一級(jí)代理,原裝現(xiàn)貨
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