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CG2H30070F中文資料WOLFSPEED數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CG2H30070F
廠商型號

CG2H30070F

功能描述

70 W, DC - 4.0 GHz, 28 V, RF Power GaN HEMT

文件大小

1.57752 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 23:00:00

CG2H30070F規(guī)格書詳情

Description

Cree’s CG2H30070F is an internally matched gallium nitride

(GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CG2H30070F,

operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband

solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs

offer high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities

making the CG2H30070F ideal for linear and compressed amplifier

circuits. The transistor is available in a flange package

Features

? 0.5 - 3.0 GHz Application Circuit

? 85 W POUT typical at 28 V

? 10 dB Power Gain

? 58 Drain Efficiency

? Internally Matched

Applications

? Broadband Amplifiers

? Electronic Counter Measures

? Signal Jamming

? Milcom

? Radar

? Data Link

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CREE/科銳
23+
NA/
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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