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CG2H80120D

120 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCG2H80120Disagalliumnitride(GaN)High ElectronMobilityTransistor(HEMT).GaNhassuperior propertiescomparedtosiliconorgalliumarsenide, includinghigherbreakdownvoltage,highersaturated electrondriftvelocity,andhigherthermalconductivity. GaNHEMT

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CG2H80120D-GP4

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:模具 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多CG2H80120D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 10:01:00