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CGHV1J070D

70 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCGHV1J070Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μm gatelengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhigh frequency,highefficiencyfeatures.Itisidealfor

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CGHV1J070D

70 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科銳科銳半導體制造商

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CGHV1J070D供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 17:01:00