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CGHV35060MP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CGHV35060MP
廠商型號

CGHV35060MP

參數(shù)屬性

CGHV35060MP 封裝/外殼為20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP

功能描述

60 W, 2700-3800 MHz, 50 V GaN HEMT for S-Band Radar and LTE Base Stations
RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP

封裝外殼

20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)裸露焊盤

文件大小

2.46447 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-15 16:41:00

CGHV35060MP規(guī)格書詳情

CGHV35060MP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGHV35060MP晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

CGHV35060MP is a 60 W input matched, gallium nitride (GaN) high electron mobility

transistor (HEMT) optimized for S-Band performance. The CGHV35060MP is suitable for

typical bands of 2.7-3.1 GHz and 3.1-3.5 GHz while the input matched transistor provides

optimal gain, power and efficiency in a small 6.5mm x 4.4mm plastic surface mount (SMT)

package. The typical performance plots in the datasheet are derived with CGHV35060MP

matched into a 3.1-3.5 GHz high power amplifier.

Features

? Reference design amplifier 3.1 - 3.5 GHz

? 75W Typical output power

? 14.5 dB power gain

? 67 Drain efficiency

? Internally pre-matched on input, unmatched output

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CGHV35060MP

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    2.7GHz ~ 3.5GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 輸出:

    60W

  • 封裝/外殼:

    20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    20-TSSOP

  • 描述:

    RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Cree/Wolfspeed
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