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CGHV40180F分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CGHV40180F
廠商型號

CGHV40180F
參數(shù)屬性

CGHV40180F 封裝/外殼為440223；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：RF MOSFET HEMT 50V 440223
功能描述

180 W, DC - 2.0 GHz, 50 V, GaN HEMT
RF MOSFET HEMT 50V 440223
封裝外殼

440223
文件大小

3.00567 Mbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 23:12:00
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CGHV40180F規(guī)格書詳情

CGHV40180F屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產的CGHV40180F晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

Wolfspeed’s CGHV40180F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high

electron mobility transistor (HEMT). The CGHV40180F, operating from a

50 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of

RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high

gain and wide bandwidth capabilities making the CGHV40180F ideal for

linear and compressed amplifier circuits. The transistor is available in a

2-lead flange package.

Features

? Up to 2.0 GHz Operation

? 24 dB Small Signal Gain at 900 MHz

? 20 dB Power Gain at 900 MHz

? 250 W Typical Output Power at 900 MHz

? 75 Efficiency at PSAT

Applications

? Military Communications

? Public Safety VHF-UHF applications

? Radar

? Medical

? Broadband Amplifiers

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    CGHV40180F

  • 制造商：

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 系列：

    GaN

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    HEMT

  • 頻率：

    0Hz ~ 1GHz

  • 增益：

    24dB

  • 額定電流（安培）：

    12.1A

  • 功率 - 輸出：

    180W

  • 封裝/外殼：

    440223

  • 供應商器件封裝：

    440223

  • 描述：

    RF MOSFET HEMT 50V 440223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CREE
三年內
1983
只做原裝正品
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23+
N/A
3500
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12588
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2447
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100500
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Cree
23+
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5000
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638
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30000
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CREE/科銳
23+
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