CHA7012中文資料UMS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
CHA7012 |
| 功能描述 | X-band HBT High Power Amplifier |
| 文件大小 |
567.61 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | United Monolithic Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
UMS |
| 中文名稱 | United Monolithic Semiconductors官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-2 11:10:00 |
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CHA7012規(guī)格書詳情
Description
The CHA7012 chip is a monolithic two-stage GaAs high power amplifier designed for X band applications.
This device is manufactured using a GaInP HBT process, including, via holes through the substrate and air bridge. A nitride layer protects the transistors and the passive components. Special heat removal techniques are implemented to guarantee high reliability.
Main Features
■ Frequency band: 9.2 -10.4GHz
■ Output power (P3dB ): 38.5dBm
■ High linear gain: > 20dB
■ High PAE: > 38
■ Two biasing modes:
-VDigital control thanks to TTL interface
-VAnalog control thanks to biasing circuit
■ Chip size: 5.00 x 3.68 x 0.1mm
產(chǎn)品屬性
- 型號：
CHA7012
- 制造商：
UMS
- 制造商全稱：
United Monolithic Semiconductors
- 功能描述：
X-band HBT High Power Amplifier
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMS |
23+ |
Die |
10000 |
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