CJD31C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
CJD31C |
| 參數(shù)屬性 | CJD31C 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
126.86 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
Central |
| 中文名稱 | 美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-2 23:00:00 |
CJD31C規(guī)格書詳情
CJD31C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CJD31C晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD31C, CJD32C types are Complementary Silicon Power Transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a surface mount package designed for power amplifier and high speed switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
CJD31C TR13 PBFREE
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 頻率 - 躍遷：
3MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CENTRAL |
23+ |
NA/ |
4277 |
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詢價(jià) | ||
CENTRAL |
2016+ |
SOT-252 |
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24+ |
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CENTRAL |
22+ |
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100000 |
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CJ |
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CENTRAL |
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CENTRAL |
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TO-252 |
25000 |
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優(yōu)勢CENTR |
23+ |
SOT252 |
7000 |
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Central Semiconductor Corp |
2022+ |
DPAK |
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CENTRAL |
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