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CJU05N25中文資料長(zhǎng)電科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CJU05N25
廠商型號(hào)

CJU05N25

功能描述

Power Filed Effect Transistor

文件大小

226.11 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

JIANGSU長(zhǎng)電科技

中文名稱

江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-18 23:00:00

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CJU05N25規(guī)格書詳情

FEATURES

◆ Avalanche Energy Specified

◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a

Discrete Fast Recovery Diode

◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CJU05N25

  • 功能描述:

    MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ/長(zhǎng)電
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NA/
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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CJ(長(zhǎng)晶科技)
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CJ/長(zhǎng)電
TO-252
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