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HN4B102J

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

HN4B102J

TransistorSiliconPNP/NPNEpitaxialType(PCTProcess)

MOSGateDriveApplications SwitchingApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?HighDCcurrentgain:PNPhFE=200to500(IC=－0.2A) :NPNhFE=200to500(IC=0.2A) ?Lowcollector-emittersaturation:PNPVCE(sat)=－0.20V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
SAMSUNG/三星
3107YpbfreeFOURC
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SAMSUNG/三星
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SMD
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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SAMSUNG/三星
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68000
原裝現(xiàn)貨
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全新原裝 貨期兩周
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SAMSUNG
21+
SMD
4000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
更多CLA4B102KBNE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 17:05:00

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