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CLF1G0035-100

BroadbandRFpowerGaNHEMT

Generaldescription CLF1G0035-100andCLF1G0035S-100arebroadbandgeneralpurpose100W amplifierswithfirstgenerationGaNHEMTtechnologyfromAmpleon.Frequencyof operationisfromDCto3.5GHz. Featuresandbenefits ?FrequencyofoperationisfromDCto3.5GHz ?100Wgeneralpurpo

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

CLF1G0035-100

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

CLF1G0035-100P

BroadbandRFpowerGaNHEMT

Generaldescription TheCLF1G0035-100PandCLF1G0035S-100Pare100Wgeneralpurposebroadband GaNHEMTsusablefromDCto3.5GHz. Featuresandbenefits ?FrequencyofoperationisfromDCto3.5GHz ?100WgeneralpurposebroadbandRFPowerGaNHEMT ?Excellentruggedness(VSWR=10:1)

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

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更多CLF1G0035-100R供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 9:50:00

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