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CLF1G0035S-50分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CLF1G0035S-50
廠商型號(hào)

CLF1G0035S-50
參數(shù)屬性

CLF1G0035S-50 封裝/外殼為SOT-467B；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B
功能描述

Broadband RF power GaN HEMT
RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B
文件大小

1.70272 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Ampleon【安譜隆】

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2024-12-23 19:46:00

CLF1G0035S-50規(guī)格書詳情

CLF1G0035S-50屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的CLF1G0035S-50晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

CLF1G0035-50 and CLF1G0035S-50 are broadband general purpose 50 W amplifiers

with first generation GaN HEMT technology from Ampleon. Frequency of operation is from

DC to 3.5 GHz.

Features and benefits

? Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz

? 50 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT

? Excellent ruggedness (VSWR 10 : 1)

? High voltage operation (50 V)

? Thermally enhanced package

Applications

? Commercial wireless infrastructure (cellular, WiMAX)

? Industrial, scientific, medical

? Radar

? Jammers

? Broadband general purpose amplifier

? EMC testing

? Public mobile radios

? Defense application

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CLF1G0035S-50,112

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    GaN HEMT

  • 頻率：

    3GHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 功率 - 輸出：

    50W

  • 封裝/外殼：

    SOT-467B

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-467B

  • 描述：

    RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
AMPLEON
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3
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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