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CM100DU-24F

Trench Gate Design Dual IGBTMOD??100 Amperes/1200 Volts

Description: PowerexIGBTMOD?Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalfbridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfrom

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

CM100DU-24H

Dual IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts

Description: PowerexIGBTMOD?Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalfbridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfrom

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

CM100DU-24NFH

Dual IGBTMOD NFH-Series Module 100 Amperes/1200 Volts

Description: PowerexIGBTMOD?Modulesaredesignedforuseinhighfrequencyapplications;30kHzforhardswitchingapplicationsand60to70kHzforsoftswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalf-bridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverseconn

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

CM100DU-24F

HIGH POWER SWITCHING USE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

CM100DU-24F

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

CM100DU-24F_09

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

CM100DU-24F_11

HIGH POWER SWITCHING USE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

CM100DU-24H

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

CM100DU-24H

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

CM100DU-24H_09

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    CM100DU-24

  • 功能描述：

    IGBT MOD DUAL 1200V 100A F SER

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    半導(dǎo)體模塊 >> IGBT

  • 系列：

    IGBTMOD™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    10

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT

  • 配置：

    單一 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    600V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開）：

    1.4V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    430A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100µA Vce

  • 時(shí)的輸入電容(Cies)：

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    1000W

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn) NTC

  • 熱敏電阻：

    無

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-227B

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
MITSUBISHI/三菱
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MODULE
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
 詢價(jià)
更多CM100DU-24供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 16:40:00

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