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CM200DU-12H中文資料POWEREX數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CM200DU-12H
廠商型號(hào)

CM200DU-12H

功能描述

Dual IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts

文件大小

58.04 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Powerex Power Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

POWEREX

中文名稱

Powerex Power Semiconductors官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-12 18:10:00

CM200DU-12H規(guī)格書詳情

Description:

Powerex IGBTMOD? Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of two IGBT Transistors in a halfbridge configuration with each transistor having a reverse-connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from the heat sinking baseplate, offering simplified system assembly and thermal management.

Features:

□ Low Drive Power

□ Low VCE(sat)

□ Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode

□ Isolated Baseplate for Easy Heat Sinking

Applications:

□ AC Motor Control

□ Motion/Servo Control

□ UPS

□ Welding Power Supplies

□ Laser Power Supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CM200DU-12H

  • 功能描述:

    IGBT MOD DUAL 600V 200A U SER

  • RoHS:

  • 類別:

    半導(dǎo)體模塊 >> IGBT

  • 系列:

    IGBTMOD™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    10

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 類型:

    PT

  • 配置:

    單一 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    600V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce(開):

    1.4V @ 15V,100A 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    430A 電流 -

  • 集電極截止(最大):

    100µA Vce

  • 時(shí)的輸入電容(Cies):

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    1000W

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn) NTC

  • 熱敏電阻:

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    SOT-227B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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