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CM200DY-24NF

Trench Gate Design Dual IGBTMOD?

Description: PowerexIGBTMOD?Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalf-bridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfreewheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedf

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

CM200DY-24NF

MITSUBISHI IGBT MODULES

IC...................................................................200A VCES.........................................................1200V InsulatedType 2-elementsinapack APPLICATION Generalpurposeinverters&Servocontrols,etc

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會(huì)社

CM200DY-24NF

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會(huì)社

CM200DY-24NF_09

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會(huì)社

CM200DY-24A

IGBTMODULESHIGHPOWERSWITCHINGUSE

HIGHPOWERSWITCHINGUSE IC...................................................................200A VCES.........................................................1200V InsulatedType 2-elementsinapack APPLICATION ACdriveinverters&Servocontrols,etc

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

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CM200DY-24H

DualIGBTMOD200Amperes/1200Volts

Description: PowerexIGBTMOD?Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalf-bridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverseconnectedsuper-fastrecovery free-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolate

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

CM200DY-24H

HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE

Description: MitsubishiIGBTModulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTsinahalf-bridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfromtheheat

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

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QM200DY-24

HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE

HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE ?ICCollectorcurrent........................200A ?VCEXCollector-emittervoltage.........1200V ?hFEDCcurrentgain...............................75 ?InsulatedType ?ULRecognizedYellowCardNo.E80276(N)FileNo.E80271 APPLICATION I

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

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QM200DY-24B

HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE

HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE ?ICCollectorcurrent........................200A ?VCEXCollector-emittervoltage.........1200V ?hFEDCcurrentgain.............................750 ?InsulatedType ?ULRecognizedYellowCardNo.E80276(N)FileNo.E80271 APPLICATION AC

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    CM200DY-24N

  • 功能描述：

    IGBT MOD DUAL 1200V 200A NF SER

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    半導(dǎo)體模塊 >> IGBT

  • 系列：

    IGBTMOD™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    10

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT

  • 配置：

    單一 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    600V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開）：

    1.4V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    430A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100µA Vce

  • 時(shí)的輸入電容(Cies)：

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    1000W

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn) NTC

  • 熱敏電阻：

    無

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-227B

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IGBT
23+
55
詢價(jià)
MITSUBISHI
23+
NA
5000
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
 詢價(jià)
MITSUBISH
23+
15000
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨。
 詢價(jià)
PowerexInc
24+
12
詢價(jià)
MITSUBIS
23+
200A1200
240
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
三菱
100
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠
 詢價(jià)
MITSUBIS
23+
模塊
500
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
PowerexInc
23+
IGBTMODDUAL1200V200ANFSE
1690
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價(jià)
MITSUBISHI
2339+
200A/1200V/I
4652
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
 詢價(jià)
MITSUBISHI
23+
模塊
3562
詢價(jià)
更多CM200DY-24N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 14:10:00

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