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CP316V	文件：193.04 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorsNPN-HighVoltageTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize20x20MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea4.0x4.0MILS EmitterBondingPadArea4.7x4.7MILS TopSideMetalizationAl-30,000? BackSideMetalizationAu-18,000?	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
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更多CM316SM供應商更新時間2025-1-8 10:15:00

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