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CM50DU-24F

Trench Gate Design Dual IGBTMOD??50 Amperes/1200 Volts

Description: PowerexIGBTMOD?Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalfbridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolated

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

CM50DU-24F

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

CM50DU-24H

IGBTMODULESMEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE

MEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE ●IC.....................................................................50A ●VCES.......................................................1200V ●InsulatedType ●2-elementsinapack APPLICATION UPS,NCmachine,AC-Drivecontrol,Servo,Welde

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

CM50DU-24H

DualIGBTMOD??U-SeriesModule50Amperes/1200Volts

Description: PowerexIGBTMOD?Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalfbridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfrom

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

詳細參數(shù)

  • 型號：

    CM50DU-24F

  • 功能描述：

    IGBT MOD DUAL 1200V 50A F SER

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    半導體模塊 >> IGBT

  • 系列：

    IGBTMOD™

  • 標準包裝：

    10

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT

  • 配置：

    單一 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    600V Vge,

  • Ic時的最大Vce（開）：

    1.4V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    430A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100µA Vce

  • 時的輸入電容(Cies)：

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    1000W

  • 輸入：

    標準 NTC

  • 熱敏電阻：

    無

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-227B

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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MODULE
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原裝進口現(xiàn)貨MITSUBISH品牌代理
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10000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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模塊
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更多CM50DU-24F供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 16:23:00

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