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CMSD6001	文件：672.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGESILICONSWITCHINGDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
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CMSD6001A	文件：672.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGESILICONSWITCHINGDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
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CMSD6001C	文件：672.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGESILICONSWITCHINGDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
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CMSD6001S	文件：672.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGESILICONSWITCHINGDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
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CMUDW6001	文件：546.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTULTRALOWLEAKAGESILICONSWITCHINGDIODE 75V,250mAUltraLowLeakageSwitchingDiodeintheSOT-523Wpackage CentralSemiconductor’sCMUDW6001isa75V,250mAultralowleakagediodepackagedintheSOT-523Wsurfacemountcase.TheSOT-523Wwasdesignedwithgull-wingleadsasanalternativetotheflatleadsoftheSOT-523package.Th	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CMUDW6001	文件：1.78737 Mbytes Page：2 Pages	75V,250mAUltraLowLeakageSwitchingDiodeintheSOT-523Wpackage	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CMXD6001	文件：114.4 Kbytes Page：2 Pages	SUPERmini.TRIPLEISOLATEDSURFACEMOUNTLOWLEAKAGESWITCHINGDIODE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMXD6001typecontainsthree(3)IsolatedSiliconSwitchingDiodes,manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinaSUPERmini?surfacemountpackage,designedforswitchingapplicationsrequiringextremelylowleakage.MarkingcodeisX01.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CPH6001	文件：47.23 Kbytes Page：6 Pages	High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features ?Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz). ?Highcutofffrequency:fT=6.7GHztyp. ?Smallandslim6-pinpackage. ?Largeallowablecollectordissipation(800mWmax).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
CPH6001A	文件：58.13 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features ?Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp ?Smallandslim6-pinpackage ?Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
CPH6001A	文件：487.63 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor Features ?Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp ?Smallandslim6-pinpackage ?Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
CPH6001A	文件：495.65 Kbytes Page：8 Pages	High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
CPH6001A-TL-E	文件：487.63 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor Features ?Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp ?Smallandslim6-pinpackage ?Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
CTS6001	文件：67.93 Kbytes Page：3 Pages	InGaP/GaAsRFICAMPLIFIER	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
D6001N	文件：269.23 Kbytes Page：8 Pages	RectifierDiode RectifierDiode	eupec eupec GmbH	eupec
D6001N	文件：258.339 Kbytes Page：9 Pages	Fullblockingcapability50/60Hzoverawidetemperaturerange KeyParameters ??VRRM5000V ??IFAVM5790A(TC=100°C) ??IFSM3570A(T118000AC=55°C) ??VT00,674V ??rT0,104m? ??RthJC4,5K/kW ??ClampingForce63…91kN ??Max.Diameter151,5mm ??ContactDiameter100mm ??Height26mm Features ?Fullblockingcapability50/60Hzover	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
DA6001	文件：836.9 Kbytes Page：3 Pages	HighlyintegratedpowerandClocksupplyICfornew	Dialog Dialog Semiconductor	Dialog

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更多CMPD6001TR供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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