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FQB5P10	文件：655.1 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB5P10	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FQD5P10TM	文件：929.8 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-100V,ID=-18A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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FQU5P10	文件：648.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbl. Features ?-3.6A,-100V,RDS(on)=1.05?@VGS=-10V ?Lowgatecharge(typical6.3nC) ?LowCrs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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