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CP101-BSS52-WN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
CP101-BSS52-WN |
參數(shù)屬性 | CP101-BSS52-WN 封裝/外殼為模具;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 1A DIE |
功能描述 | NPN - Darlington Transistor Die |
文件大小 |
404.1 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡稱 |
Central |
中文名稱 | 美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-5 18:26:00 |
CP101-BSS52-WN規(guī)格書詳情
CP101-BSS52-WN屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP101-BSS52-WN晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
CP101-BSS52-WN
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.6V @ 4mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
2000 @ 500mA,10V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應(yīng)商器件封裝:
模具
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 1A DIE
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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