CP147分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
CP147 |
參數(shù)屬性 | CP147 封裝/外殼為模具;包裝為帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 20A DIE |
功能描述 | Power Transistor NPN - Darlington Chip |
封裝外殼 | 模具 |
文件大小 |
207.46 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Central |
中文名稱 | 美國(guó)中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-12 16:38:00 |
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CP147屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP147晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL BASE
Die Size 195 X 195 MILS
Die Thickness 12 MILS
Base Bonding Pad Area 29 X 29 MILS
Emitter Bonding Pad Area 61 X 35 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000?
Back Side Metalization Ti/Ni/Au - Ni-6,000?; Au-6,000?
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
CP147-2N6284-CT
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
3V @ 200mA,20A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 10A,3V
- 頻率 - 躍遷:
4MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應(yīng)商器件封裝:
模具
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 20A DIE
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
SOP-8 |
3000 |
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詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
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詢價(jià) | |||
CP |
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ICS |
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SSOP |
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23+ |
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